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Das FS300R12KE3/AGDR-62C ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)-Leistungsmodul von ABB,
entwickelt für effizientes und zuverlässiges Schalten in industriellen Anwendungen. Dieses Modul integriert das FS300R12KE3 IGBT-Modul
mit der AGDR-62C-Treiberplatine und bietet eine kompakte und vorkonfigurierte Lösung für Leistungsumwandlungssysteme wie Motorantriebe, Wechselrichter und Systeme für erneuerbare Energien.
Hohe Spannungs- und Stromwerte
Unterstützt bis zu 1200 V und 300 A, geeignet für Hochleistungs-Industrieanwendungen.
Integrierter Gate-Treiber (AGDR-62C)
Die vormontierte Treiberplatine gewährleistet schnelles, sicheres und effizientes Schalten.Vereinfacht das Systemdesign und die Integration.
Erweiterte Schutzfunktionen
-Desaturierungsschutz
-Unterspannungssperre (UVLO)
-Übertemperaturschutz
-Sanftes Herunterfahren bei Fehlerbedingungen
Geringe Leitungs- und Schaltverluste
Verbessert die Energieeffizienz und reduziert die Wärmeentwicklung.
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| DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
| SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
| PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
| 07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
| DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
| AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
| DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
| DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
| PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
| SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
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