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Das 3AXD50000439638 ist ein Hochleistungs-Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)-Modul, das von ABB entwickelt und hergestellt wird,
einem weltweit führenden Unternehmen in der Energie- und Automatisierungstechnik. Dieses Modul spielt eine entscheidende Rolle in leistungselektronischen Systemen und bietet effiziente und
zuverlässige Schaltfähigkeiten für Anwendungen mit mittlerer bis hoher Spannung. Es ist speziell für Industrieantriebe,
Systeme für erneuerbare Energien, Traktionssysteme und Stromversorgungen konzipiert.
Hohe Leistungsdichte: Optimiert für kompakte Designs ohne Kompromisse bei der Leistung.
Geringe Schaltverluste: Ermöglicht eine effiziente Energieumwandlung und reduziert den Bedarf an Wärmemanagement.
Robust und zuverlässig: Gebaut, um rauen Industrieumgebungen mit robuster Konstruktion standzuhalten.
Schnelle Schaltleistung: Unterstützt Hochfrequenzbetrieb mit minimaler Verzögerung, wodurch die Reaktionszeit verbessert wird.
Wärmemanagement: Entwickelt mit ausgezeichneten Wärmeableitungseigenschaften zur Verbesserung der Lebensdauer und Zuverlässigkeit.
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DP620 3BHT300016R1 | 88FV01E GJR2332300R0200 | DSQC637 3HAC023047-001 |
PM510V08 3BSE008373R1 | 88UB01A GJR2322600R0100 | DSQC658 3HAC025779-001 |
SR511 3BSE000863R1 | 3BHE004573R0141 UFC760 BE141 | SNAT608CMT |
DSAI146 3BSE007949R1 | 3BHE004573R0142 UFC760 BE142 | SDCS-CON-2A 3ADT309600R0002 |
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87TS01K-E GJR2368900R2200 | SD812 3BSC610023R0001 | AI895 3BSC690086R1 |
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