3AXD50000711888 2MBI1400VXB-120P-50 ABB IGBT-Modul
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Einzelheiten des Produkts
DieAbweichend von Artikel 4 Absatz 1 Buchstabe a der Verordnung (EU) Nr. 182/2011ist ein leistungsstarkerIGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) Leistungsmodul
Dieses Modul wurde von ABB in Zusammenarbeit mit Fuji Electric hergestellt und ist Teil des2 MBI
Reihe, bekannt für seine robuste thermische Leistung, hohe Spannungsbehandlung und effiziente Schaltmerkmale.
Eigenschaften
Hohe Stromkapazität: Handgriffe bis zu 1400 A, ideal für Hochleistungsanwendungen.
Hochspannungstoleranz: Unterstützt eine Spannung zwischen Kollektor und Emitter von 1200 V, geeignet für Stromversorgungssysteme in industrieller Größe.
Dual IGBT-Konfiguration: Optimiert für effizientes Schalten und reduzierte Leitverluste.
Niedrige Sättigungsspannung (V)CE (Sat)): Verbessert die Gesamtenergieeffizienz durch Minimierung des Spannungsabfalls über das IGBT.
Schnelle Schaltfähigkeit: Unterstützt Hochgeschwindigkeitsbetrieb und reduziert Schaltverluste in anspruchsvollen Anwendungen.
Eingebaute Freiraumdioden: Verbessert die Leistung der Rückwärtswiederherstellung und vereinfacht das Schaltkreislaufdesign.
Ausgezeichnetes thermisches Management: mit einer robusten Unterplatte für eine überlegene Wärmeableitung und geringen thermischen Widerstand ausgelegt.
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